福意论行情：内存价格反弹！

    DDR现货市场上周出乎预期的逆势反弹，市场补货动作异常活跃，一扫笼罩于市场之上的月底阴霾，业者似乎重新看到良好的前景；SDRAM尤其是利基型产品由于供应面的持续稳步增长导致现货价格依旧疲软；NAND FLASH则仍处于下跌信道之中，市场交易活动谨慎。

    DDR虽然面临月底压力，但市场的变革也会打破此种效应，DRAM厂生产的改良让DRAM产出有了一定的变量，第三季度的到来也让PCOEM考虑是否增加库存水平，空仓已久的通路也更是蠢蠢欲动，多股势力的综合打破了月底常态，促使DDR价格逆势反弹。

市场焦点
    三星、美光、 Hynix、英飞凌去年囊括全球DRAM八成市场，按目前规画在2005年上半年开始由0.11、 0.10微米升级为90奈米制程，可以预见明年良率应会相对偏低，有助控制供应货源、支撑产品价格； 若是 4大DRAM业者延到2005下半年才转进90奈米制程，因0.11、0.10微米制程的良率较高，供应货源势必增加，进而压抑DRAM价格。

    两则业内消息值得关注：惠普6月25日发布消息，该公司发现一些笔记本产品的内存存在缺陷，存在电路设计缺陷的内存包括128MB, 256MB 和512MB三种，产品来自英飞凌、美光、三星、万宝(Winbond)等四家内存生产商；三星电子日前宣布，该公司已经开发出名为Robust File System的Linux文件系统，此文件系统可以同时允许NAND闪存保存代码和数据，该技术可能将有助于NAND闪存在手机中抢夺NOR闪存的市场。

市场预测
    PCOEM增加库存水位 .50仍能经受考验
    · DRAM厂今年以来一直处于产能的不稳定状态，0.13转进1.11微米，0.11升级为90奈米，8寸晶圆至12寸晶圆厂，加上DRAM与FLASH之间的转换，让DRAM市场充斥了诸多不确定因素，月底PCOEM增加定单，通路商投机性回补库存的介入更是推波助澜，加上惠普事件的影响，7月初期的现货市场不至于太坏。
    · Hynix DDR 32MX8现货价从.50一路下跌至.30,月底将至，业者看空至于.00，但由于PCOEM突然加大DRAM的采购力度，使得几乎空仓的现货通路商趋之若骛，投机性买盘纷纷出现，数日将现货价格拉高至.80，由于月底将过，PCOEM加大定单的余温仍在，加上市场对第三季度有一定的预期，本周现货价格.50仍能经受住考验。

    SDRAM供应不断增加 价格必须依靠需求支撑
    · 利基型SDRAM年后一路狂泻，市场把所有焦点集中到终端需求上来，盼望需求来支撑跌跌不休的现货价格，但到目前为止，终端需求仍然没有明显的转变，这与今年国内DVD/VCD大批中小厂家倒闭以及针对DVD/VCD反倾销关税息息相关，然而供应面包括三星、现代等DRAM厂仍在不断加大SDRAM的产出，供需出现失衡必然导致现货价格继续下跌，如果需求不及时出来救场，短期仍将看不到好转的的迹象。

    NAND FLASH市场混乱 现货价跌中求稳
    · NAND FLASH行列越来越多竞争者加入其中，由于每家公司的市场策略不同，直接导致市场处于一定程度的无序状态，在产品同质化的市场上，价格战无疑是一把锋利的竞争匕首，为了抢占市场份额，各家主动被动得都加入了这场战争，但不要忘记价格战同时也是一柄双仞剑，使用不得当必将刺伤自己，当然市场的成熟也需要这样一场洗礼，这种竞争的直接结果是价格不断走低，现时跌价仍将是主旋律，但下跌的步伐也将逐渐稳定。

价格预测（以下模块价格为主流Hynix品牌）

市场操作
    鉴于之上分析，DDR本周发展态势应该不会太差，但大幅上涨的机会也不是很大，价格总体还是以平稳为主，因此维持一定的库存即可；SDRAM仍将处于下跌信道之中，不建议做太多库存，采购仍应建立在定单之上；NAND FLASH现货价格将会比较混乱，涨跌会比较频繁，操作需要谨慎。