上周是十二月第四周,由于适逢圣诞假期,虽然内地市场正常开市,但现货市场没有太多贸易活动,DDR现货价格继续疲弱,下跌之势不减,但幅度平稳;SDRAM除个别产品由于供货原因热烙外,无特殊表现;出现下跌的NAND型FLASH暂时无人问津。
无外界影响的国内市场DDR价格续跌,一来是市场惯性作用,另外对国际市场重新开市后的忧心也促使通路商谨慎从事,再加之月底年关,本来就平淡的市场更显清静。
市场焦点
年底盘点,总体来说PC的出货量保持了正常的增幅,反差的是内存价格萎靡不振,这种现象也激起了市场人士的疑虑,其实是过去的经验定式了我们的思维:由于内存在PC中的灵活使用性使得其成为PCOEM削减成本的牺牲品,尤其在低价策略成为市场竞争的趋势,内存容量使用的减少和INTEL 865芯片组效应的弱化都直接反应了这一变革。
两则业内消息值得关注:中芯国际和日本Elpida近日达成协议:中芯将于2004年第四季开始以其12寸晶圆生产线,生产Elpida设计的100纳米DRAM芯片;一直替别人做「嫁衣」的台湾DRAM业者近期纷纷表示走自有品牌之路,如茂德初步预估明年第2季后所有产品都是以茂德自有品牌出货。
市场预测
256Mb DDR逼近$3.30 市场机会「春光」乍现
.国际市场的假期至少并没有阻止国内市场的走势,256Mb DDR直逼$3.30关口,同时国内市场有一些很低价位的UTT产品期货定出,可以看出对现货市场后期的观点是谨慎的,但伴随台湾DRAM业者纷纷调整策略,主攻合约市场,并力推自有品牌,相信扰乱现货市场的UTT产品供应将渐少,对现货市场长期来说是一大利好。
.DDR现货价格会不会跌至$3.00,这是目前市场最为关注的焦点,不排除这种可能性,但就当前的国内国际形势来看,跌至$3.00阻力很大,因为一方面PC的销售并不差,新年临近的PC市场虽还充满变量,但应该比较正面,加上DRAM厂拋货后库存压力已一定程度被释放,通路商也大多空仓以待机会,相信下跌空间会在$3.30逐渐收窄,一丝曙光已经乍现。
SDRAM渐渐沉寂 个别产品「小鬼当家」
.因供给量的大幅减少,需求却没有同步萎缩,造就了下半年的「井喷」,但随着需求的放缓,部分产能的回转,SDRAM逐渐沉寂下来,32MX8/16MX8由于少量的货物流通,贸易活动也平淡,4MX16更是备受压力,但由于近期供应仍然紧缺,1MX16/2MX32出现一定缺货,市场前景短期可以期待。
压力渐渐蒸发 NAND 型FLASH节后重拾市场
.随着Samsung、Toshiba等FLASH制造企业不断提高投片量,市场供应短线增加,加之Samsung近期推出FLASH与DRAM捆绑销售策略,使得一时间现货价松动下滑,但短期的弱势并不代表长期方向,低价位的货被逐渐消化掉,在庞大的市场需求下,增加的产能短期无法改变供需状况,相信FLASH市场在节后会重新走强。
价格预测(以下模块价格为国内市场主流Hynix品牌)
现货价 |
规格 |
DDR 266 |
DDR 333 |
DDR 400 |
颗粒(32MX8) |
USD 3.30-3.45 |
USD3.35-3.50 |
USD 3.45-3.65 |
模块 |
RMB225-240 |
RMB 230-245 |
RMB245-260 |
市场操作 鉴于以上分析,DDR将逐渐迸发市场机遇,选择合适的位置进场将有一定空间发挥,当然市场瞬息万变,乐观的同时也需加强风险防范意识;SDRAM方面回归平稳,后市仍有空间的产品相对货源紧缺,恐也有价无市;把握NAND型FLASH市场的转换,也未尝没有机会。