上周行情回顾：
上周延续了持续的跌势，但就市场而言，询价和需求相对的变得比较频繁，而且有一些定单的成交，并且有大盘想出来囤货，但是最终交易量还是不大。DRAM11月下旬的合约价再度下滑，尤其是DDR 333。
本周行情分析：
三星：全球第一大NAND型Flash供应商三星为能持续保有市场占率，以及可于未来几个月赚取到别人所望尘莫及利润，第一阶段已将其晶圆厂生产线，大幅度由DRAM转做生产NAND型Flash。据了解，目前三星除了持续扩增原先采用8寸厂生产NAND型Flash，另一方面则持续将其12寸的产能转做NAND型Flash，估计到2003年底前三星12寸厂旗下约有2.5万片产能，当中便会有高达50％产能将用于生产NAND型Flash，且将会开始采用0.11微米制程技术生产高容量Flash商品，而三星这样随时弹性调整其晶圆厂产能，将会是其未来于全球记忆体产业中最大竞争优势。
力晶：力晶半导体宣布与日本瑞萨 (Renesas)签约结盟投产1Gb NAND型Flash，力晶明年中将以12寸厂0.13微米产能投片6,000片，成国内唯一生产NAND Flash制造商，两家公司将跃居全球第三大供应商，明年市占率达20%。 力晶总经理谢再居透露，力晶与瑞萨采用利润分享（profitsharing）的精神来进行AG-AND Flash的技转及代工业务，未来只要需求强劲，力晶将获取可观利润，力晶明年6月开始将每月回销瑞萨300万颗1G Flash，多余产能则可望拥有销售权。受到Flash利多刺激，力晶昨天急拉尾盘，收在平盘价15.9元。
Hynix：Hynix周一经过一连串小规模试产后，该公司已于本月 1日开始以0.11微米制程量产256MB DDR DRAM。南韩Hynix(kr-0066)将DRAM代工订单给了上海宏力，并合作扩充12寸产能。由于美国及欧盟对DRAM课征超额惩罚性关税，Hynix 则计划转赴大陆代工生产DRAM，目前接触的代工厂商为上海宏力半导体，预计最快年底前签约定案。
投资：英特尔、英飞凌、快捷半导体、日立环球储存科技四大半导体公司最近宣布了一连串对中国大陆的投资计划，总金额接近15亿美元。其中英飞凌、快捷半导体和日立环球储存科技在中国大陆的投资被认为是策略性的，因为这些公司在华的投资扩张预计将对其全球业务产生重大影响。这一连串投资案显示，许多国际性半导体厂商仍认为中国大陆的电子工程人才和低制造成本是加强其产品全球竞争力的关键因素。
晶圆：半导体国际产能统计协会 (SICAS)公布，全球 MOS 晶圆厂产能利用率在第 3季达到 88.7%，高于第 2季的 86.4% ；而整体 MOS产能也在 7-9月略有增加，较 4-6 月提高5%。不过产用率虽见扬升，还是低于 Needham & Co.分析师 Cristina Osmena预估的 90.8%，而其先前预测的产能增幅为0%。Osmena研究报告中写道，“产能趋紧，基本上是好的发展，但改善幅度不及预期”。
涨跌指数分析：
|
条件 |
三星 |
力晶 |
Hynix |
投资 |
晶圆 |
|
基础分数 |
20% |
10% |
25% |
20% |
25% |
|
涨势打分 |
10% |
5% |
10% |
10% |
15% |
获利指数分析：
|
信息分析 |
涨跌指数 |
库存水位 |
获利指数 |
|
打分 |
50% |
20% |
60% |
下周操作分析：
操盘分析：由于市场微弱的需求量及现货价未见起色的情况下，合约价再次往下调降，看来年底前合约价再次反弹的机会不大。但是再往下降也缺乏动力，圣诞旺季将至，价格在本周末和下周初将有机会止跌上涨。Flash部分由于三星的大量转产，且鉴于现在的高价位，感觉并不乐观。
利润面：HY获利空间为2%。少数高附加值品牌内存可保持一定获利2%。
