上周是十一月的最后一周，内存现货市场的发展基本吻合我们的预测：DDR266 32MX8颗粒虽然出现一些势力竭力维系.0关口，但价格还是很快跌穿，内地现货市场价格更是一再走低，周末方渐渐稳定；SDRAM方面Hynix1MX16、4MX16还在被推高，8MX16价格并无太大差异与4MX16，32MX8MX8基本保持稳定；NAND型FLASH基本面没有变化。
上周DDR现货价格跳水，分析原因主要有：一、市场需求依旧没有转好的迹象；二、适逢月底，DRAM厂、通路商都有一定的出货压力，而且我们也看到有一些低价位的原厂条(如：SAMSUNG)拋出来；三、大量UTT产品拋到现货市场，进一步压低了现货价；四、合约价的持续疲软也给现货价格形成了一定的压力。
市场焦点 ．区别与HYNIX、MICRON，SAMSUNG拋出一些低价位的DDR，这种差别可能主要有这几方面的原因：一、SAMSUNG的产品线比较丰富，相互之间的风险抵抗能力要强于其它公司，加上良好的财务状况，发挥的余地更大；二、今年FLASH的大热使得SAMSUNG在DRAM上的压力得到释放，因为一些DRAM产能转过去FLASH；三、之前SAMSUNG的价格也普遍大幅度高于其它品牌，作出调整也于情理之中。
．两则业内消息值得关注：台湾DRAM厂因拥有全球最多12寸晶圆厂，除与国际DRAM颗大厂技术合作外，将转向发展高利润、高附加价值的自有品牌之路；研究机构 Semico Research Corp.指出，由于行动电话、数字相机、照相手机以及其它产品出现爆炸性需求，NAND与 NOR闪存的lead time(前置时间)仍持续延长。
市场预测 DDR仍有下跌空间 本周市场反弹机会不大 ．照例来讲十二月已经不是内存销售的旺季，PCOEM的定单也只是日常性的需求，加上现货价格的走低，使得DRAM厂欲想提高上旬的合约价恐非易事，其它组件如：LCD Driver IC价格的走高已经让PCOEM背上了沉重的成本包袱，在竞争激烈的PC市场环境下，削减DRAM的搭配亦是无奈之举，加上大量UT T产品的逐入，DDR本周仍有机会下跌。
．从纯现货市场角度看，本周反弹机会并不大，主要原因有：一、上周虽然价格下跌不少，但深度不够，导致国际市场成交量不多；二、部分有货的通路商非但不愿意拋出他们的库存，还拿了一些货，库存压力将更大；三、DRAM厂家虽加大出货的力度，但几大厂如：HYNIX、MICRON、INFINEON并没有很便宜的货拋出来。
SDRAM压力渐增 恐难维系高文件价格 ．利基型SDRAM近来可是八面春风，价格上涨幅度惊人，但季节性题材在逐渐弱化，市场需求也有放大之闲，加上感觉到SDRAM最近有明显的人为推高迹象，市场风险也在一步步放大， SDRAM恐也难以长期维持在高价位。
NAND型FLASH现状继续维持 ．相比较与DRAM的跌宕起伏，NAND型FLASH最近的走势出奇的平稳，基本面没有发生明显的改变，而且这一趋势可能还要延长一段时间，市场需求和询价还在持续，低价位的货还不是很多，市场似乎在寻找一种平衡，一种买卖双方都需要的平衡。
价格预测（以下模块价格为国内市场主流Hynix品牌）
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现货价 |
规格 |
DDR 266 |
DDR 333 |
DDR 400 |
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颗粒（32MX8） |
USD 3.65-3.85 |
USD3.75-3.90 |
USD 3.80-4.05 |
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模块 |
RMB250-265 |
RMB 255-270 |
RMB265-280 |
市场操作 鉴于以上分析，我们认为目前DDR、SDRAM都不是很明朗，市场正处于一个敏感期间，行情随时可能发生逆转，保持一种平和的心理和谨慎的操作应该是明智之举。
