农历新春期间，DRAM市场表现令人咋舌，整个DRAM产品线一路飘红：主流DDR一举站上.0一线，在2MX32、4MX16的带动下，利基型SDRAM亦表现出强劲的势头，主流SDRAM则依然一副高高在上的姿态。相形见绌的是NAND型FLASH，供应量的增加使需求和价格都遭到一定程度的打压。
DDR现货价格放量大涨，整个国际、国内市场非常活跃，一方面源于新一轮的补仓效应，也是对年前补仓的进一步休整；另一方面DRAM厂新年伊始在出货方面也相对谨慎，控制了一定数量的出货；加上预期2004年整体市场的积极，通路方面更是表现出难得的乐观。
市场焦点
关于近期「日本政府打算对韩国DRAM制造商Hynix半导体公司输入的芯片征收最高达40%的补偿性高额关税」事宜，一方面此事早先已被市场熟知，效应提前已有蒸发，另一方面，即使征税正式实施也未必对HYNIX形成实质性的打击， HYNIX欧洲、美国遭受制裁后有2003年第四季市占率挤进前三的不俗表现就是一例。
．两则业内消息值得关注：市场研究公司iSuppli发表报告指出，韩国Hynix半导体业务重整有成，在2003年第4季在全球DRAM市场挤下英飞凌，夺回第3名宝座；台湾DRAM制造厂力晶称,除标准型DRAM外,将会增产消费用内存、可携式产品用内存、闪存等非标准型DRAM,并强化逻辑集成电路(IC)的代工业务。
市场预测
主流DDR站稳.0一线 蓄势冲击.5关口
．DRAM厂的库存压力在年前的拋货中有所减少，伴随新年的开始，DRAM厂暂时不会作出悲观的市场举动，因为他们也需要通过价格上涨来弥补跌价时的利润；通路上，虽然年前有一些库存回补的动作，但补仓的深度和广度都不够，诸多二线通路商、二线城市的库存依然处于较低水位；因此，库存回补动作不会就此消停，市场仍有一定空间可以想象。
．随着DDR的大涨，256M现货均价也牢牢站稳.0一线，然.0并非业者目标，.5将成为他们冲击的下一个市场目标。国际科技大厂公布的财报结果以及预期皆佳预测，企业获利增加，IT产业企业支出有复苏的现象；换机潮以及用户升级的良好市场预期；加上DRAM转产效应的逐步释放，合约价的止跌，UTT产品价格的坚挺也都给256M DDR均价冲击.5留下了空间。
SDRAM基本面无改观 市场表现稳步向前
．虽然在DDR大涨的照耀下，SDRAM的市场表现要黯淡很多，但紧缺的货源和稳定的需求使得SDRAM尚能保持稳定的上涨步伐，短期来看这种局面还不会有大的改观，因此SDRAM的这种势头仍将保持一段时间。
NAND型FLASH供应渐增 价格退守之势不改
．比较DDR的迅猛和SDRAM的稳固，似乎唯有NAND型FLASH比较失意，伴随DRAM厂转产FLASH效应的逐渐凸现，现货市场的供应量也充足起来，但市场的增量没有得到相应需求的消化，价格出现回调甚是正常。
价格预测（以下模块价格为国内市场主流Hynix品牌）
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现货价 |
规格 |
DDR 266 |
DDR 333 |
DDR 400 |
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颗粒（32MX8） |
USD 4.05-4.25 |
USD4.10-4.30 |
USD 4.35-4.55 |
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模块 |
RMB270-285 |
RMB 275-290 |
RMB295-315 |
市场操作
我们认为本周DDR仍然有进一步上涨的空间和动能，选择合适的时机适度参与应该有一定的获利空间；SDRAM不会大涨大跌，发展会比较平顺，贸易活动还是适宜建立在定单基础之上；至于NAND型FLASH，目前仍有一定压力，可观望。
