上周价格回顾
周行情分析
预测：DRAM厂商预期，美国企业换机需求买气将于第二季引爆，农历年后开端进入备料行情，DRAM还有高点可期。国内DRAM厂今年纷纷进入0.11微米制程世代，南科本季试产，力晶下季投产，工本将持续下降。 根据集邦报价，256M DDR400现货均价开春站上4.14美元，高点来到4.45美元;256M DDR333与DDR266报价高点，也都超过4美元。至于合约报价，1月下旬价格小幅上扬1.65%，2月可望提高到4美元。 模块厂商预期，今年DRAM高点可能出现在第三季，预计256M DDR报价有机会超越5美元，不过随着各家12寸厂，以及大陆产能开出，第四季将出现回软。
NAND：2004年闪存的生产数量将达到6亿8000万个，换算为512Mbit产品，相当于上年的2.2倍。这是由于适用于数码相机及可拍照手机的存储卡中的NAND型和AND型的需求和数字家电内置的程序用NOR型的需求急剧增加所致。NAND型和AND型的容量将占全部快闪容量的78.6％。“日经市场访问”预测，进入2004年后，闪存需求将保持高水平，这样继2003年长期短缺后将继续处于短缺状态。
Hynix：日本政府考虑对Hynix Semiconductor进口DRAM加课平衡税 ，只要其国内业者正式提出申诉，东京政府就准备着手调查；若是初步认定 Hynix 接受韩国政府补贴，最快将于今年夏季对其进口 DRAM加征高额平衡税。其报导指称，Elpida等日系IC大厂的确有意促请日本政府向Hynix开铡，而日本官方态度也相当明确，待接获其国内业者的申诉文件后就会开案研究。事实上，Elpida目前已展开相关作业，准备正式提出申请。最快今夏就有可能对 Hynix 进口DRAM加征20-40%的关税，而这也会是日本首度对进口产品课征平衡税。
中芯：上海中芯国际农历年前宣布，为扩大所属三座8寸晶圆厂产能，向工行、建设银行、交通银行及上海浦东发展银行联贷，总金额达2.85亿美元。中芯今年将为德国英飞凌、日本尔必达代工标准型DRAM产品。 中芯指出，这是第二次获得四大银行联贷，中芯与四大银行的第一次联合贷款是在2001年12月签订，融资金额4.8亿美元。中芯国际于2003年9月成功以私募方式，集资6.3亿美元。 中芯委托德意志、瑞士信贷两家券商，主办10亿美元股票，在美国那斯达克及香港上市，现阶段暂定每股3.5美元。
库存：2003年不啻是个半导体产业谷底反弹的关键年，在2003年初时，全球电子供应链上的半导体库存水准高达11亿美元，然随着2003年一路走扬的市场复苏之势，2003年底第四季时，电子供应链上反形成半导体供给不足达3.83亿美元，其中尤以后端厂商的半导体库存特别吃紧。在2004年第一季结束前，已接近平衡的半导体库存水准又将有所改变，由于市场对于半导体需求呈现持续增长趋势，进而拉长产品的前置期（lead-time），值此产能吃紧前提下，EMS等后端厂商势必将订单提高至双倍水准，藉以确保零组件无缺货之虞，进而使得供应链前端的半导体制造厂商增加库存水准。
指数分析
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条件 |
预测 |
NAND |
Hynix |
中芯 |
库存 |
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基础分数 |
20% |
20% |
25% |
20% |
15% |
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涨势打分 |
15% |
10% |
15% |
10% |
10% |
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信息分析 |
涨跌指数 |
库存水位 |
获利指数 |
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打分 |
60% |
35% |
70% |
下周操作分析
操盘分析：正如我们年前预期的一样，DDR全面开始回升，并且速度很快，如果您有采纳小温的建议，我想您现在肯定乐开花了，一个新年假期暴涨了30￥。我们认为本周的行情应该还是非常乐观的，在周五前都找不到停止上涨的理由，但是到了周五，如果出现停盘的现象，我们就要引起足够的重视。因为目前上涨的理由有三个，1，库存水位的下降，OEM工厂和渠道商库存都是最低水位，半导体厂的库存也是历史最低水位。2、欧洲的升级潮，和大陆的开春后消耗。3、半导体厂从0.13转产0.12，可能会有转产时的产能下降。如果本周五价格开始平稳，那涨价因素就只有两个了，第一条已经不存在了，那再下周的走势就需要看转产是否顺利和市场的真实需求了，本周应该是以上涨的几率居多。
利润面：HY获利空间为5%。少数高附加值品牌内存可保持一定获利5%。
